测试各种封装的MOSFET、IGBT、三极管、Diode（小电流器件）进行连续工作寿命和间歇工作寿命试验。间歇工作寿命试验利用芯片的反复开启和关闭引起的反复高温和低温，加速芯片内各种组件材料和结合面的热机械应力，验证封装、内部键合等承受由芯片操作引起的热机械应力能力。IOL间歇寿命试验系统HK-IOL-16H

IGBT/SIC模块功率循环试验系统 华科智源-功率循环老化设备主要是针对IGBT/SIC的封装可靠性行进行实验,通过控制实验条件再现IGBT封装的主要两种失效方式:键合线失效和焊料层老化。实验的关键是控制结温的波动范围以及最高温度,得到不同条件下的实验寿命,从而得到IGBT的寿命。

SIC碳化硅器件参数测试仪HUSTEC-3000功能及主要参数： 　　适用碳化硅二极管、IGBT模块\\MOS管等器件的时间参数测试。

HUSTEC-DC-2020分立器件测试仪设备扩展性强，通过选件可以提高电压、电流和测试品种范围。在PC窗口提示下输入被测器件的测试条件点击即可完成测试任务。系统采用带有开尔文感应结构的测试插座，自动补 偿由于系统内部及测试电缆长度引起的任何压降，保证测试结果准确可靠。

MOS管动态参数测试仪ITC57300 ITC57300是美国ITC公司设计生产的高集成度功率半导体分立器件动态参数测试设备，采用测试主机+功能测试头+个性板的测试架构，可以满足N沟道、P沟道器件、双极晶体管等的各项动态参数的测试要求，且具有波形实时显示分析功能，是目前具水平的完备可靠的动态参数测试设备。

大功率IGBT静态参数测试仪HUSTEC-1200A-MT 华科智源IGBT电参数测试仪，可用于多种封装形式的IGBT的测试，还可以测量大功率二极管、IGBT模块、大功率IGBT、大功率双极型晶体管等器件的VI特性测试，广泛应用于轨道交通，电动汽车，风力发电，焊机行业的IGBT来料选型和失效分析。测试过程简单，既可以在测试主机里设置参数直接测试，又可以通过软件控制主机编程后进行自动测试。

IGBT双脉冲测试平台PT-1224 该设备用于功率半导体模块（IGBT、FRD、肖特基二极管等）的动态参数测试，以表征器件的动态特性，通过特制测试夹具的连接，实现模块的动态参数测试 品牌： 华科智源 名称： 双脉冲测试平台 用途： 测试动态参数

IGBT静态参数测试仪HUSTEC-1600A-MT华科智源功率器件测试仪，测试二极管 、IGBT，MOS管，SIC器件静态参数，并生产器件传输曲线和转移曲线，测试1600A，5000V以下的各种功率器件，广泛应用于器件设计，封装测试，轨道交通，电动汽车 ，风力发电，变频器，焊机等行业的IGBT来料选型和失效分析。